美光今天宣布,位于新加坡的一座NAND闪存制造工厂已经定于2011年第二季度最终投产。
该工厂由Intel、美光联合投资兴建,最初计划2008年下半年上线,但因为种种原因始终没有完工,一直拖延至今。美光预计,新工厂投产后每月可生产10万块晶圆。
在此之前,竞争对手三星电子、东芝纷纷披露了各自的2011年扩产计划。三星新工厂Line-16即将开工,主要也是生产NAND闪存芯片。东芝正在兴建新的12英寸NAND闪存晶圆厂Fab 5,预计明年春天完工。
美光指出,尽管各大厂商都积极扩充产能,但得益于智能手机、固态硬盘、平板机的旺盛需求,2011年的NAND闪存市场不会出现供过于求的局面。
美光不久前还发布了一种名为“ClearNAND”的新型闪存设备,将NAND闪存芯片与错误管理功能封装在了一起,有利于提高闪存设备的可靠性和持久性。美光指出这种技术目前主要面向企业级服务器和平板机等消费级应用。
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